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IT之家 4 月 28 日消息,韩媒 SE Daily 援引业界消息报道称,三星电子内部已制定了 在第 7 代 10nm 级 DRAM 内存工艺 1d nm 后即导入 VCT 垂直通道晶体管技术 的路线图,相关产物有望最早于 2~3 年内面世。 据悉三星电子在 1d nm 后的下代 DRAM 工艺上曾考虑过 1e nm 和 VCT DRAM 两种选择, 最终选择了有望“改变游戏规则”的后者 ,并将 1e nm 先行研究组织合并到 1d nm 团队中以推进 1d nm 的开发。 报道指出, VCT DRAM 固然可通过对三维空间的有效利用大幅度提升存储密度,但这一技术也面临着巨大的开发难度 :一方面,其需要跨越传统内存技术的壁垒;另一方面,该类型内存需要未在现有 DRAM 中应用的先进封装工艺。 另一方面,报道还称三星电子在 DRAM 业务中的最大竞争对手 SK 海力士目前的大致规划是 1d nm -> 0a nm-> VG DRAM(IT之家注:SK 海力士对 3D DRAM 的称呼)。